Phie5.0時(shí)代來臨 下一代固態(tài)硬盤將主動(dòng)冷卻

英特爾通過其第12代Alder Lake平臺(tái)迎來了PCIe 5.0的時(shí)代，很快AMD也將通過其即將推出的Zen 4 CPU和Socket AM5 LGA1718主板完成跟隨。雖然PCIe取得的進(jìn)展對(duì)GPU沒有太大的影響，但對(duì)于存儲(chǔ)設(shè)備卻意義非凡，因?yàn)橥掏铝康脑黾訉?duì)NVMe驅(qū)動(dòng)器是一個(gè)直截了當(dāng)?shù)母Ｒ簟?/p>

而隨著PCIe 5.0，4通道(x4)主板的帶寬有望達(dá)到16GB/s，這意味著優(yōu)質(zhì)的NVMe固態(tài)硬盤可能會(huì)達(dá)到接近這些速度，巨大的速度帶來了巨大的熱量，而NAND閃存又是眾所周知地對(duì)熱量非常敏感。

為了保持冷卻，Phison公司的首席技術(shù)官Sebastien Jean認(rèn)為，下一代PCIe 5.0固態(tài)硬盤的特點(diǎn)是在散熱片旁邊有風(fēng)扇的主動(dòng)冷卻，這可能與上圖所示類似。

Phison正在做很多事情來保持SSD的功率在一個(gè)合理的范圍內(nèi)，但可以肯定的是，SSD會(huì)更熱，就像90年代CPU和GPU變得更熱一樣。隨著第五代和第六代規(guī)范的到來，我們可能需要考慮主動(dòng)冷卻。

如上所述，熱量對(duì)NAND是不利的。事實(shí)上，不僅僅是熱，冷也可能是壞的，因?yàn)樗赡軐?dǎo)致巨大的溫度波動(dòng)，使NAND芯片容易出現(xiàn)更多的錯(cuò)誤修正。固態(tài)硬盤的理想工作溫度是25-50°C或77-122F。

控制器和所有其他部件......在125攝氏度(257華氏度)以下都是可以接受的，但NAND完全做不到，如果SSD檢測(cè)到NAND的溫度超過80攝氏度(176華氏度)左右，就會(huì)進(jìn)入關(guān)鍵關(guān)閉狀態(tài)。

如果你的大部分?jǐn)?shù)據(jù)是在非常熱的情況下寫入而在非常冷的情況下讀取，就會(huì)出現(xiàn)一個(gè)巨大的溫差波動(dòng)。固態(tài)硬盤的設(shè)計(jì)是為了處理這個(gè)問題，但它會(huì)將運(yùn)算能力轉(zhuǎn)移給更多的錯(cuò)誤糾正操作，因此，最大的吞吐量會(huì)降低，固態(tài)硬盤的工作甜蜜點(diǎn)是在25至50攝氏度(77至122華氏度)之間。

至于在冷卻固態(tài)硬盤方面的未來，Phison的博客文章還簡(jiǎn)要地提到，M.2連接器的后續(xù)產(chǎn)品正在開發(fā)中，因?yàn)槟壳暗膶?shí)施很快就會(huì)開始出現(xiàn)瓶頸。因此，預(yù)計(jì)更好的傳熱解決方案也將隨之而來。

標(biāo)簽： 下一代固態(tài)硬盤 固態(tài)硬盤 主動(dòng)冷卻 理想工作溫度