12GB秒變20GB！融合內(nèi)存拯救老手機(jī)？別鬧了

內(nèi)存融合這玩意到底有沒有用？

這兩年手機(jī)應(yīng)用是設(shè)計(jì)的越來越放肆了，每個(gè) APP 運(yùn)行起來占據(jù)的空間也是越來越大，直接給我整出“內(nèi)存焦慮”了。

平時(shí)我微信聊的好好的，可能切出去拍張照片，所有應(yīng)用的后臺(tái)就都被殺完了。

(資料圖)

所以為了能給用戶多騰點(diǎn)內(nèi)存出來，除了加錢以外，各家廠商也是紛紛推出了自己的“內(nèi)存融合”技術(shù)。

對(duì)手機(jī)稍微有些關(guān)注的可能會(huì)注意到，這幾年各家廠商發(fā)各種新機(jī)的時(shí)候，會(huì)在標(biāo)注手機(jī)內(nèi)存的地方，整上一個(gè) xxG + xG 的文案，比如什么 8Gb + 4G ， 12Gb + 8Gb 等等。

乍一看好像是 12G 的內(nèi)存加 8G 的內(nèi)存，就能原地達(dá)到 20G 內(nèi)存的效果，但是在這個(gè)數(shù)據(jù)的邊角上，又會(huì)打一個(gè)如同免責(zé)聲明一樣的“*”號(hào)，在告訴你兩者的不同。

所以，這技術(shù)真的能讓內(nèi)存空間“憑空增加”么？

白嫖的代價(jià)又是什么？

今天，我來好好的帶著大家文藝復(fù)興一番，聊聊現(xiàn)在都 2023 年了，這 21 年火起來的技術(shù)到底好不好使。

>/ 新了，但是技術(shù)也不新

要講內(nèi)存融合，咱們得先簡(jiǎn)單聊一下手機(jī)的存儲(chǔ)到底是個(gè)咋回事。

咱們手機(jī)里主要負(fù)責(zé)放數(shù)據(jù)的地方有兩個(gè)，一個(gè)是DRAM（俗稱內(nèi)存/運(yùn)存/RAM），一個(gè)是NAND Flash（俗稱閃存/硬盤/ROM）

內(nèi)存可以幾乎無限制的讀寫數(shù)據(jù)，而且讀寫數(shù)據(jù)的速度非常快，但唯一的問題就是健忘，斷電之后里面存的數(shù)據(jù)就丟光了。

所以通常來說，內(nèi)存里放的是我們打開 APP 后的產(chǎn)生的"臨時(shí)數(shù)據(jù)"。

平時(shí)講的后臺(tái)保活，就是要保證這些應(yīng)用可以讓他們的數(shù)據(jù)運(yùn)行在這些內(nèi)存里面，不被“殺掉”。

那這么說，豈不是物理內(nèi)存越大，就越不容易殺后臺(tái)了？

倒也沒錯(cuò)，但內(nèi)存還有一個(gè)問題，那就是貴，前幾年手機(jī)基本只有 8G 內(nèi)存，這兩年好了一些，廠家也逐漸安排上了 12G 、 16G 的內(nèi)存空間。

實(shí)際上由于邊際效益遞減原因，再往上堆疊內(nèi)存帶來的正向收益就非常有限了，像這樣直接干到 18G 的廠商更是少之又少。

所以為了解決殺后臺(tái)的情況，同時(shí)，廠家就把目光投向了“單價(jià)”更便宜的手機(jī)硬盤，也就是閃存上來了。

都是存東西，我從這兒偷點(diǎn)空間來沒問題吧！

這就引出了內(nèi)存融合技術(shù)的前身—— SWAP。

其實(shí)這個(gè)技術(shù)早在安卓 2.2 的時(shí)候就有了，本質(zhì)就是將一些內(nèi)存中不怎么用得到的數(shù)據(jù)壓縮，丟到閃存空間里存儲(chǔ)，等到需要用的時(shí)候再重新讀出來。

通過這樣的方法，來實(shí)現(xiàn)可以在后臺(tái)駐留更多的 APP 的效果，省得手機(jī)自動(dòng)殺后臺(tái)，也省得我們收不到應(yīng)用的推送。

除此之外，還有一種叫Zram的技術(shù)也可以提高我們的內(nèi)存利用率。

它能夠?qū)⒁恍﹥?nèi)存中不怎么活躍的部分在內(nèi)存中壓縮，等需要用的時(shí)候再取出來，就是上圖里的“應(yīng)用內(nèi)存壓縮”。

所以說，站在底層原理的角度來看，內(nèi)存融合其實(shí)并不算什么很新的技術(shù)，更多的還是一種對(duì)過去 SWAP 和 Zram 技術(shù)的融合。

而且這類技術(shù)老早就用在我們的 Windows 電腦上了：

為了減少軟件崩潰，增加系統(tǒng)的穩(wěn)定性，微軟給電腦引入了虛擬內(nèi)存技術(shù)。

>/ 存了，但是效果不行

所以，這么一個(gè)經(jīng)典，在電腦上用了十幾年的技術(shù)，在手機(jī)上用起來好使么？

說實(shí)話，不太行，不但不如原生內(nèi)存，在有些場(chǎng)景上反而還會(huì)拖后腿。

雖然內(nèi)存融合可以讓 APP 逃離被殺后臺(tái)的命運(yùn)。

但是，你內(nèi)存什么讀寫速度？你閃存什么讀寫速度？

目前主流手機(jī)上的LPDDR5X 內(nèi)存的讀寫速度換算下來理論是68.2GB/s，比起閃存的讀寫速度來說快了幾十倍不止。

那讓閃存強(qiáng)行干內(nèi)存的活，哪里能干得好。

所以實(shí)際體驗(yàn)下來，打開了內(nèi)存融合的手機(jī)可能會(huì)出現(xiàn)能保留更多的后臺(tái)應(yīng)用。

但是可能會(huì)因?yàn)镾WAP反復(fù)把數(shù)據(jù)從閃存和內(nèi)存倒騰，導(dǎo)致手機(jī)卡頓明顯增多。

也會(huì)因?yàn)?Zram 反復(fù)壓縮內(nèi)存里的數(shù)據(jù)，導(dǎo)致 CPU 性能被占用，手機(jī)整體響應(yīng)變遲緩，發(fā)熱量增加。

我自己也試了一下，拿來一臺(tái)打開內(nèi)存拓展功能的手機(jī)，連續(xù)打開十幾個(gè)常用 APP 。

這樣一輪操作還沒做完，手機(jī)的就感覺明顯變卡了，甚至還出現(xiàn)了應(yīng)用不跟手的情況。

講道理，都卡成 PPT 了，那我還寧愿你給我重新打開一下應(yīng)用，說不定更流暢呢。

而卡頓還只是一方面，內(nèi)存融合還可能會(huì)對(duì)閃存的使用壽命有影響。

和壽命接近無限的內(nèi)存比起來，一塊閃存可以被改寫多少次數(shù)據(jù)，是從它被造好的那一刻開始決定的。

比如 PLC閃存早年的理論壽命只有全盤寫入 35 次，相當(dāng)于 1T 的閃存只能寫入 35T 就離損壞不遠(yuǎn)了。

你數(shù)據(jù)寫的越多，那它能堅(jiān)持的時(shí)間自然越少，也越容易壞。

而內(nèi)存融合嘛，正是頻繁的將內(nèi)存里活躍的數(shù)據(jù)給丟到數(shù)據(jù)不活躍的閃存中。

那如果背后的程序員沒調(diào)試好，啥數(shù)據(jù)都不加節(jié)制的亂丟，那確實(shí)會(huì)對(duì)閃存的壽命造成影響。

比如之前 Mac 的一些 BUG ，導(dǎo)致用戶用了 60天就消耗了這塊 256G閃存10%的寫入壽命。

但是好在如今內(nèi)存融合在打磨了這么多年之后，其實(shí)各家都已經(jīng)有了一個(gè)相對(duì)成熟的調(diào)度機(jī)制了，正常使用下來，不會(huì)對(duì)閃存壽命造成非常嚴(yán)重的影響。

咱們也不用過分恐慌內(nèi)存融合，一般正常使用的話，閃存壽命還是要比手機(jī)壽命長(zhǎng)一些的。

我掐指（用 ChatGPT）一算，就拿目前手機(jī)里常見的 256G TLC閃存顆粒來說，按照 1000次的擦寫壽命來算，咱們想在兩年內(nèi)用壞，每天得要寫入 350G 數(shù)據(jù)才行。

恩。350G ，我每天可能 3G 都用不到。

不過話說回來嗎，盡管傷不到閃存，但是內(nèi)存融合還是多少顯的有些雞肋。

對(duì)中低端手機(jī)來說，或許本身內(nèi)存太小了，需要內(nèi)存融合來保留更多的應(yīng)用后臺(tái)，但是又會(huì)因?yàn)?SoC 性能不夠?qū)е略凇叭诤稀钡臅r(shí)候發(fā)熱，耗電量增加，給體驗(yàn)拖后腿。

對(duì)旗艦手機(jī)來說， SoC 的性能是夠了，但是把往往內(nèi)存本身又已經(jīng)足夠大了。真的不缺這一點(diǎn)融合出來的半生不熟內(nèi)存。

除非有那么一臺(tái)手機(jī)，既有著旗艦級(jí)的 SoC ，又有著次旗艦的內(nèi)存。

應(yīng)該不會(huì)有廠家做這種選擇吧？

應(yīng)該，吧。

所以說開不開內(nèi)存融合，就成了一個(gè)選擇題——得看你是更喜歡更多的后臺(tái)保留，還是要更流暢的打開每個(gè) APP ？

再或者就是直接加錢好了，直接買 12G 或者是 16G 內(nèi)存的手機(jī)。

等到 APP 開發(fā)再?gòu)堁牢枳σ惠啠?2G 的手機(jī)需要內(nèi)存融合來挽救的時(shí)候，

可能也該換新機(jī)器了。

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