今天(1月30日),三星在官方宣布開始量產業界首款1TB嵌入式通用閃存(eUFS)2.1,讀取速度高達1000MB/s,寫入速度260MB/s。
據介紹,在相同封裝尺寸(11.5mm x 13.0mm)內,1TB eUFS解決方案將先前512GB版本的容量提升了一倍,將16個512 Gb V-NAND芯片和新開發的專有閃存控制器組合在一起。
三星電子內存銷售與營銷執行副總裁Cheol Choi表示:“1TB eUFS預計將在為下一代移動設備帶來更多類似筆記本的用戶體驗方面發揮關鍵作用。更重要的是,三星致力于確保最可靠的供應鏈和足夠的生產數量,以支持及時推出即將推出的旗艦智能手機,以加速全球移動市場的增長。”
顯然,我們可以將這一消息和即將發布的三星Galaxy S10聯系起來,業內人士猜測S10將有1TB規格。
據悉,三星計劃在2019年上半年在其位于韓國的Pyeongtaek工廠擴大其第五代512Gb V-NAND的產量,以全面滿足全球移動設備制造商對1TB eUFS的強勁需求。
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