SK海力士開(kāi)發(fā)成功HBM3動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 內(nèi)置ECC校檢

韓國(guó)SK海力士日前宣布，該公司開(kāi)發(fā)成功HBM3動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(DRAM)，每秒能夠處理819GB的數(shù)據(jù)，內(nèi)置ECC校檢。

該HBM3DRAM將以16GB和24GB兩種容量上市。其中24GB是業(yè)界目前最大容量。在24GB產(chǎn)品中，單品DRAM芯片的高度被磨削到約30μm，使用TSV技術(shù)垂直連接12個(gè)芯片。

HBM3被稱(chēng)為第四代HBM，由多個(gè)垂直連接的DRAM芯片堆疊而成，能夠創(chuàng)新性地提高內(nèi)存帶寬。 SK海力士2020年7月在業(yè)界最先開(kāi)始量產(chǎn)HBM2DRAM。

SK海力士強(qiáng)調(diào)，將繼續(xù)鞏固高端存儲(chǔ)器市場(chǎng)領(lǐng)導(dǎo)力，提供符合ESG(環(huán)境、社會(huì)、公司治理)經(jīng)營(yíng)理念的產(chǎn)品，盡最大努力提高客戶(hù)價(jià)值。(科技日?qǐng)?bào)記者 邰舉)