中國科研人員研發出第三種存儲技術 速度比U盤快萬倍

現在的存儲技術有兩種，一種是以內存為代表的易失性存儲，速度很快，但斷電后數據就沒有，無法保存;另一種是以U盤為代表的非易失性存儲，斷電后依然能夠保存數據，但缺點就是讀寫速度慢。

復旦大學微電子學院的團隊則研發出了第三種存儲技術，既能保證超高的讀寫速度，又能保證斷電后數據不會丟失。據團隊人員介紹，基于這項技術制作的存儲元器件，其寫入速度將會比普通U盤快上10000倍。

而且這項技術還有比較厲害的地方，那就是能夠按需對數據的存儲時長進行調整。它的原理是，這種技術采用了多重二維半導體材料，只要通過對材料比例的控制，便可以控制寫入速度與斷電數據保留時長的比例。

目前這項技術還僅僅存在于實驗室中，不過這項技術誕生于中國復旦大學，看來中國研發已經看齊世界水平。