突破！長江存儲宣布128層閃存芯片研發成功

長江存儲今日在官網宣布其128層QLC 3D NAND閃存芯片X2-6070研發成功，并已在多家控制器廠商SSD等終端存儲產品上通過驗證。

長江存儲表示，X2-6070是業內首款128層QLC規格的3D NAND閃存，擁有業內已知型號產品中最高單位面積存儲密度，最高I/O傳輸速度和最高單顆NAND閃存芯片容量。此次同時發布的還有128層512Gb TLC(3 bit/cell)規格閃存芯片X2-9060，以滿足不同應用場景的需求。

據了解，每顆X2-6070 QLC閃存芯片共提供1.33Tb的存儲容量。而在I/O讀寫性能方面，X2-6070及X2-9060均可在1.2V Vccq電壓下實現1.6Gbps(Gigabits/s千兆位/秒)的數據傳輸速率。

長江存儲表示，公司用短短3年時間實現了從32層到64層再到128層的跨越。

另據財聯社報道，預計2020年底-2021年中旬陸續量產，目標達到月產能10萬片;供應鏈消息透露，這款閃存已送樣。