HLC存儲(chǔ)密度畢竟比QLC高出50% 實(shí)現(xiàn)HLC閃存1000次PE

說(shuō)起來(lái)，SSD和機(jī)械硬盤，提升容量的方式有些相似，前者主要靠提高每單元存儲(chǔ)的電位數(shù)量和增加堆疊層數(shù)，而后者則是靠增大盤片容量和盤片數(shù)。

閃存顆粒的演進(jìn)我們已經(jīng)看在眼里，MLC SSD已經(jīng)基本在消費(fèi)市場(chǎng)絕跡，目前主要是TLC尤其是QLC打天下。

所謂QLC就是每單元存儲(chǔ)4個(gè)電位，而取代它的將是存儲(chǔ)5電位的PLC(penta level cell)。

實(shí)際上，鎧俠(原東芝存儲(chǔ))早在2019年就投入了PLC閃存技術(shù)的研究。鎧俠最近披露表示，PLC之后，還有存儲(chǔ)6電位的HLC(hexa level cell)和存儲(chǔ)8電位的OLC(octa level cell)。

因?yàn)橐鎯?chǔ)多個(gè)電位，就需要不同的電壓狀態(tài)，QLC是2的4次方，也就是16個(gè)電壓狀態(tài)，PLC是32個(gè)，相應(yīng)地，HLC需要多達(dá)64種電壓狀態(tài)，這對(duì)主控將是極大的考驗(yàn)，畢竟64種電信號(hào)不能相互干擾。

盡管難度高，但HLC的存儲(chǔ)密度畢竟比QLC高出50%，對(duì)廠商的誘惑還是很大。

目前，鎧俠已經(jīng)在-196°C的液氮環(huán)境中，實(shí)現(xiàn)了HLC閃存1000次PE(可編程擦寫循環(huán))。預(yù)計(jì)量產(chǎn)后，恐怕會(huì)降到100次PE。

當(dāng)然，大家不用太擔(dān)憂，因?yàn)镠LC時(shí)代，存儲(chǔ)容量將非常夸張，堆疊層數(shù)也會(huì)在600~1000次甚至更多，這意味要寫滿一次SSD，需要的時(shí)間并不會(huì)比現(xiàn)在的TLC、QLC明顯差很多。