AMD第二代3D緩存揭秘：工藝不變 卻神奇地縮小了！

AMD的銳龍7000X3D系列第二次集成了3D V-Cache堆疊緩存，雖然官方說和銳龍7 5800X3D上的沒有太大區(qū)別。

但實際上，還是有很多不一樣的。

銳龍7 5800X3D上堆疊的64MB 3D緩存采用與CCD部分相同的7nm工藝，面積41平方毫米，晶體管數(shù)量47億個，密度為1.146億個/平方毫米。

(資料圖)

銳龍7000X3D上的容量還是64MB，工藝還是7nm，晶體管數(shù)量還是約47億個，但是面積縮小到了36平方毫米，幅度約12％，密度因此增加到1.306億個/平方毫米。

這主要得益于更高密度的SRAM存儲單元，使得Ta標(biāo)簽區(qū)域大大縮小，三級緩存的整體面積效率提升了32％。

同時，TSV信號通道部分的成本降低了50％，對接口電路的需求也大大減少。

順帶一提，5nm Zen4 CCD部分的面積為66.3平方毫米，晶體管65.7億個，密度9900萬個/平方毫米，7nm Zen3 CCD部分則是80.7平方毫米、41.5億晶體管、5140萬個/平方毫米，都不如3D緩存的集成度更高。

AMD還介紹了Zen4二級緩存的更多細(xì)節(jié)，除了大家熟系的0.5MB容量翻番為1MB，還提升了數(shù)據(jù)路徑和控制邏輯電路的集成度(面積更小)，LRU(最近最少使用)單元旋轉(zhuǎn)90度以匹配更低的內(nèi)核高度。

更關(guān)鍵的是，二級緩存部分可以和3D緩存相通，TSV供電通道直達(dá)二級緩存，這也是更小的5nm CCD所必需的。

【本文結(jié)束】如需轉(zhuǎn)載請務(wù)必注明出處：快科技

責(zé)任編輯：上方文Q

標(biāo)簽： V-Cache AMD第二代3D緩存揭秘工藝不