很多人難以區(qū)分NAND閃存的種類,于是三星半導(dǎo)體官方便發(fā)文進(jìn)行了一番科普。
三星半導(dǎo)體官方稱根據(jù)數(shù)據(jù)的存儲方式,NAND閃存可以分為四種類型:SLC(Single Level Cell,單層單元)、MLC (Multi Level Cell,多層單元)、TLC (Triple Level Cell,三層單元)和QLC(Quadra LevelCell,四層單元)。
為便于了解NAND閃存的類型和特點,我們首先需要了解存儲的數(shù)據(jù)以及存儲數(shù)據(jù)的空間“單元”(Cell)。如果將數(shù)據(jù)視為“人”,那么單元就是“半導(dǎo)體中的小房間”意即數(shù)據(jù)存儲在單元里。
SLC是在一個單元里存儲一個數(shù)據(jù),數(shù)據(jù)以“1"或“0”的形式進(jìn)行存儲,操作簡單,錯誤少速度快,相對穩(wěn)定。
MLC是在一個單元里存儲兩個數(shù)據(jù),數(shù)據(jù)存儲形式為“00、01、10、11”,價格相對便宜,但數(shù)據(jù)處理速度要慢一些。
TLC在一個單元中存儲三個數(shù)據(jù),而QLC在一個單元中存儲四個數(shù)據(jù)。雖然可以存儲大量數(shù)據(jù),但由于存儲在一個單元中的數(shù)據(jù)量很大,因此與SLC和MLC相比,它們的數(shù)據(jù)處理速度會更慢一些。
標(biāo)簽: 數(shù)據(jù)存儲方式 NAND閃存 三星半導(dǎo)體 存儲
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