在這里,我們可以例舉Intel 10nm工藝制程,根據公開消息,Intel 10nm工藝制程雖然在命名上不如臺積電7nm工藝、三星7nm工藝制程響亮,可在晶體管密度方面,Intel 10nm遠超臺積電7nm工藝(DUV)和三星7nm(DUV),僅次于用EUV光刻機研發的臺積電7nm+工藝。
由此可以看出,Intel 10nm和同期臺積電、三星等廠商工藝制程屬于同一水平,只是在命名上的不激進,導致被很多用戶笑談“擠牙膏”。
關于臺積電N5+工藝
了解了工藝制程,回過頭,再來看看臺積電這次為新iPhone準備5nm+,到底又是何方神圣。
實際上,相較于火熱的iPhone參數,關于臺積電5nm+制程工藝消息,透露的并不多,我們可以試圖從臺積電5nm工藝一窺究竟。
此前,臺積電總裁魏哲家就在技術論壇上表示,相較上一代7nm,5nm制程速度提升近15%,功耗則降低了30%,晶體管密度提升80%,妥妥的是新一代工藝制程。
而該工藝也被首先運用在iPhone12之上,根據官方數據,采用臺積電N5工藝的A14仿生芯片,內置118億個晶體管,晶體管多了近30多億,而CPU性能提升40%,而GPU則提升了近50%。
至于5nm+制程工藝,根據消息人士推測,將在5nm工藝的基礎上,帶來5%的額外速度提升和10%的功率提升。
至于具體提升,讓我們拭目以待吧。
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