(資料圖片僅供參考)
日前,美光全球第一個宣布了232層堆疊的NAND閃存,全球首家突破200層,已經投入量產。
新閃存走的還是TLC,首次引入6個平面,存儲密度創新高14.6Gb/mm2,2.4GB/s IO速度提升50%,讀取帶寬提升785%,寫入帶寬提升10%,封裝面積減小28%,還首發支持NVLPDDR4內存。
不過只過了兩天,韓國閃存巨頭SK海力士就宣布,計劃今年內試產238層的NAND閃存,并在明年上半年量產,比美光多了8層。
SK海力士沒有透露238層閃存的技術細節,只是說各家的技術路線圖、產品發布節奏不同,SK海力士的首要目標是實現行業最高的盈利水平。
另外,SK海力士計劃今年將176層閃存的出貨比例提高到70%,并進一步提升毛利率。
國際巨頭你追我趕,國產閃存也沒停下。
長江存儲目前的最新量產閃存是128層,之前有消息稱已經試產192層,但也有說法稱又跳過了192層而直接切入232層。
但何時量產尚無明確時間表,有說法稱快則2023年底,慢則2024年。
果真如此的話,國產閃存與國際最先進水平的差距,也就一年多點。
標簽: SK海力士 長江存儲 SK海力士沖擊238層閃存國
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