大摩：今年合肥長鑫將推出17nm工藝內(nèi)存芯片

今年合肥長鑫將推出下一代17nm工藝內(nèi)存芯片，首發(fā)產(chǎn)品是DDR4。

來自大摩的分析稱，合肥長鑫的17nm工藝DRAM芯片良率已經(jīng)達(dá)到了40%，預(yù)計Q2季度就會給客戶供應(yīng)產(chǎn)品，其成本相比臺系廠商的20nm、25nm工藝內(nèi)存更有優(yōu)勢。至于生產(chǎn)方面，大摩稱合肥長鑫的產(chǎn)能今年會增加到8萬片晶圓/月，并在北京新建工廠，量產(chǎn)17nm工藝內(nèi)存芯片。

此外，長鑫還會研發(fā)7nm及以下工藝的DDR5、LPDDR5等內(nèi)存，在下一代的10G5工藝中，除了DDR5、LPDDR5之外還有GDDR6顯存。在2020年、2021年，長鑫分別實現(xiàn)了4.5萬片晶圓/月、6萬片晶圓/月的目標(biāo)，2022年的產(chǎn)能目標(biāo)是12萬片晶圓/月，未來的產(chǎn)能目標(biāo)是30萬片晶圓/月。

標(biāo)簽： 合肥長鑫 工藝內(nèi)存芯片 工藝內(nèi)存 芯片良率