三星在半導體行業的整體實力不俗,但主要優勢在存儲芯片上,包括閃存及內存都是全球第一,但在晶圓代工業務上多年來都是老二,而且差距還在擴大,不過三星早就定下目標,希望在2030年前超越臺積電。
如何實現這個目標,同為三星集團的三星證券提出了意見,那就是三星電子拆分晶圓代工部門,并且去美國上市,以力拼臺積電。
目前三星在先進工藝上已經追上來了,6月最后一天還宣布全球首發量產了3nm工藝,與5nm相比,新開發的3nm GAE工藝能夠降低45%的功耗,減少16%的面積,并同時提升23%的性能。
第二代的3nm GAP工藝可以降低50%的功耗,提升30%的性能,同時面積減少35%,效果更好。
標簽: 力拼臺積電 三星拆分晶圓代工部門 去美國上市 三星集團的三星證券提出了意見
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